聯電攜手愛普攻 AI 供電:矽電容 Gen2D 完成投片驗證,電容直接嵌入中介層與基板
聯電與愛普科技 10 月 22 日宣布技術與製造合作,聯手推進 AI 與高效能運算系統的供電方案。合作結合聯電的深溝槽電容製程與晶圓產能,以及愛普的矽電容設計與系統整合。愛普 S-SiCap Gen2D 分離式矽電容已在第三季完成投片與初步功能驗證,下一步做封裝基板的系統級效能與可靠度測試。

AI 晶片先卡在供電。聯電與愛普科技 10 月 22 日宣布展開技術與製造合作。兩家公司聯手推進 AI 與高效能運算系統的供電方案。科技新報 10 月 23 日報導了合作內容。10 月 24 日德國市場報導再摘要此事,並指出聯電週末交易價格為 16.80 歐元。
分工很清楚。聯電提供深溝槽電容製程技術與可擴充的晶圓製造能力。愛普提供矽電容設計與系統層級整合技術。客戶拿到的是從設計到製造的一站式方案。聯電目前有 12 座晶圓廠,合計月產能超過 40 萬片 12 吋約當晶圓。總部位在新竹,員工約 2 萬人。
第一個里程碑已經完成。愛普的 S-SiCap Gen2D 分離式矽電容設計,已在 2026 年第三季完成投片與初步功能驗證。下一步是系統級測試。團隊將針對封裝基板中的電容,做完整的效能與可靠度測試,並支援不同的電容量與工作電壓需求。
供電架構正在換位置。過去,穩壓元件放在電路板上。現在,資料中心把電容直接嵌入中介層或基板。路徑變短,供電更完整,先進封裝內的電壓調節也更有效率。聯電資深副總經理洪圭鈞表示,AI 與高效能運算正推動供電從電路板層級,走向晶片層級的垂直整合。
合作還會再擴大。雙方正探討把產品線延伸到矽中介層嵌入式電容,以及基板底面電容。聯電的供電藍圖也涵蓋分離式與嵌入式矽電容,並延伸到內部電壓調節器等主動元件。聯電同時持續投資新產能,支援供電與異質整合方案。
這場合作補的是封裝旁邊的缺口。算力晶片功率愈來愈高,供電元件必須離晶片愈來愈近。矽電容做進封裝,供電瓶頸才有機會鬆開。Gen2D 已過初步驗證,真正的考驗在後面。系統級可靠度測試過關,客戶才會把設計放進量產產品。