三星改用台積電 3 奈米做輝達 HBM 基底晶片：競爭對手首度在 HBM 階段合作

三星要找台積電做 HBM 的一部分。路透 10 月 18 日報導，《首爾經濟日報》指出，三星將用台積電 3 奈米製程，生產輝達下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）的基底晶片（base die）。

這一步打破兩家公司的競合界線。報導說，這是三星首度在 HBM 製造階段與台積電合作。兩家公司過去在先進製程上直接競爭。這次分工，台積電負責基底晶片，三星負責記憶體本體。

要求來自輝達。輝達已要求三星、SK 海力士與美光，都用台積電製程做 NVHBM 的基底晶片，核心晶片（core die）則用第六代 DRAM 技術。三家記憶體廠用同一套基底做法，輝達就不用為每家供應商各改一次設計。

NVHBM 是輝達 8 月發表的設計。它把輝達自研的記憶體控制器直接做進基底晶片。目的很明確：統一各家供應商的實作方式，讓客製化記憶體更容易量產，也更容易互相替換。

三星已接受這項要求。報導引述業界人士說，三星內部檢討後點頭。一般型 HBM 與其他客戶的客製化產品，三星仍維持自家生產模式，不改。

三星也留了後路。報導說，三星正評估自家晶圓代工能否生產 NVHBM 基底晶片。前提是需求超過台積電可供產能。這一步還沒定案，消息來源也未具名。

未定案的部分要講清楚。這則消息來自媒體引述業界人士。三星、台積電與輝達都還沒正式公告合作細節。產能分配、量產時間與訂單規模，要等公司說法才能確認。